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Domaine Science Sous domaine Science
Section Technique Option Electricité
Discipline Electronique Classe 6 ème
Matériel didactique Transitor bipolaire NPN Auteur Muzey Makala
Objectif opérationnel A l’issue de cette leçon chaque apprenant sera à mesure de bien maîtriser le trois montages de base d’un transistor
Réference Livre d’électronique
Activité initiale

Rappel

Le montage le plus utilisé est le montage émetteur commun.

Ce S.C a pour rôle d’amplifier un signal à sa sortie

 

Motivation de la leçon

Avec cette leçon nous allons plus voir comment peut-on polariser ce transistor dans le trois types de montages.

Annonce du sujet

Aujourd'hui nous allons étudier le montage de base

Activité principale

Montages émetteur commun

Polarisation point de fonctionnement

Polarisation par une résistance

Le montage élémentaire tout en  étant fonctionnel est le suivant :

Polarisation par résistance  de base.

Le fonctionnement est simple : le courant de base IBO est fixé par Rb ce qui entraine un courant de collecteur Ice égal à BIBo. Le courant collecteur étant fixe, la tension aux bornes de Rc va être égale à Rc Ico. Le montage est entièrement déterminé.

Pour calculer les éléments Rb et Rc, on va procédés à l’envers ; on va partir de ce qu’on désire (le courant Ico et la tension VCEO), et remonter la chaine :

On se fixe un courant collecteur de repos Ico

(C’est le courant de polarisation). Ce courant sera choisi en fonction de l’application et variera entre une dizaine de UA (application très faible bruit), et une dizaine de mA (meilleurs performances en haute fréquentes, soit quelques MHZ).

On se fixe une tension de collecteur Vceo, qu’on prend en général égale à E/2, pour que la tenson  du collecteur puisse varier autant vers le haut que vers le bas lors ’qu’on appliquera le signal alternatif.

La résistance de collecteur Rc, en plus d’assurer une polarisation correcte de la jonction base-collecteur convertir le courant collecteur (et ses variations) en tension. Elle est déterminée par la formule :

Le courant IBO est alors imposé par les caractéristiques

De gain en courant du transistor (le β). On note ici qu’il est impératif de le connaitre donc de le mesurer) :

La résistance de base Rb est alors calculée à l’aide de la formule :

Pour ce faire, on prendra VBEO = 0,7V, car un calcul plus précis (il faudrait connaitre la caractéristique Ib= f (Vbe) pour le faire) ne servirait à rien. On peut résumer toute cette étape de polarisation sur un seul graphique.

Synthèse

Cfr. Activité principale

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