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Les transistors à effet de champ
Domaine Science Sous domaine Science
Section Technique Option Electricité
Discipline Electronique Classe 6ème
Matériel didactique Carte électronique, transitor FET à jonction... Auteur SCHOOLAP.COM
Objectif opérationnel A l’issue de cette leçon, tout apprenant sera capable de bien maîtriser et connaitre les différents types de transistors.
Réference Livre de cours d’électronique
Activité initiale

Rappel

Quel est le but d’un transistor à jonction dans un circuit électronique ?

Rappel

Le but d’un transistor à jonction dans un circuit électronique est d’amplifier le signe dans un circuit.

Motivation de la leçon

Qu'allons-nous voir?

Motivation de la leçon

Sur cette leçon, nous allons voir que ce transistor joue toujours le même rôle que son prédécesseur.

Annonce du sujet

Qu'allons- nous étudier aujourd'hui?

Annonce du sujet

Aujourd'hui, nous allons étudier les transistors à effets de champ.

Activité principale

Résumé noté dans les cahiers par les élèves.

Introduction  

Nous avons vu au chapitre précedent que le transistor à jonction était une source de courant commandé par un courant. Cette caractéristique permet à ce type de composant d’amplifier des signaux alternatif.

Cet objet théorique existe : la famille des transistors à effet de champ (Fild effet transistor en anglais FET) repond à la définition précedente : ce sont des sources de courant commandes en tension.

Résumé noté dans les cahiers par les élèves

Le transistor FET à jonction  

Prinicipe de fonctionnement

Constitution d’un FET

De même qu’il existe deux types de transistors bipolaires (NPN et PNP), le FET à jonction (ou JFET) est décliné en deux versions : le canal N et le canal P.

Le FET à jonction canal N est constitué d’une mince plaquette de silicium N qui va former le canal conducteur princicpal. Cette plaquette est recouverte partiellement d’une couche de silicium P de manière à former une jonction PN latéral et le canal P.

Le FET à jonction canal N est constitué d’une mince plaquette de silicium N qui va former le canal conducteur principal. Cette plaquette est  recouverte partiellement d’une couche de silicium P de manière à forme une jonction PN latérale par rapport au canal (Cfr fig.).

FET à jonction à canal N (principe)

Le courant  circulera dans le canal, rentrant par une première électrode, le drain et sortant par une deuxième  

L’électrode connecté à la couche de silicium P sert à commander la conduction du courant dans le canal. On l’appelle la grille. Par analogie avec l’électrode du même nom présente sur les tubes à vides.

Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grille-canal polarisée en inverse.   

Synthèse

Résumé et synthèse de la matière à enseigner 

1. Par quoi sont remplacées les zones dopées du transistor bipolaire chez le FET ?

2. Comment sont appelées les électrodes du transistor à effet de champ.

Réponse Cfr activité principale 

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